半导体 HAST 老化箱 MCU 存储芯片湿热测试
工作原理
走"加压饱和蒸汽加速渗透"路线：电加热器煮纯水产生水蒸气，PLC-PID同时比对角差与压力变送器反馈，调节加热功率与进气/排气比例阀，使腔体稳定在目标温压点（如121℃/100%RH/0.196MPa绝对压）。压力抬高水沸点，让100℃以上仍维持饱和蒸汽而不凝露滴样；非饱和模式则温压解耦控在85%RH。真空泵先抽腔排氧与非凝气，再注汽消除气泡伪失效。湿气在分压驱动下穿透塑封料、沿引脚界面爬升，加速铝腐蚀、离子迁移、分层。
产品特点
高压蒸汽结构：圆腔SUS316电抛光压力容器，承压≥0.35MPa，配爆破片+电磁泄压+反压门联锁，高压下开门物理锁死
温压湿三闭环：105~150℃、75~100%RH、表压0~0.2MPa，波动≤±0.5℃/±2%RH/±0.01MPa，饱和非饱和双模式可切
MCU存储向：多层不锈钢托盘架放JEDEC盘与Flash板，带偏HAST预留密封bias端子（Vcc/IO加80%额定电压）
加速比高：121℃饱和HAST 96h≈85℃/85%RH双85千小时，研发周期从月缩到天
安全冗余：超温、超压、缺水、门未锁、真空失败五重硬联锁，三色灯+声光报警
小容积桌面级：圆腔直径约0.4米级，纯蒸汽耗水低，触屏预存JESD22-A110 121℃/100%RH/96h与A118带偏模板
使用说明
用电阻率＞1MΩ·cm去离子水，水箱带液位显示禁装自来水。样品置不锈钢托盘，MCU裸片平铺、存储颗粒立放，距腔壁≥3cm，带偏测试经密封端子引Vcc/IO线外接电源。建程式：抽真空5min排氧→注汽升到121℃/0.196MPa饱和保压96h（或130℃/85%RH非饱和）→泄压降温取样。严禁未泄压开门，严禁样品带可燃壳进场。测完常压降温至60℃以下再取，MCU测漏电与擦写寿命，Flash测数据保持力。每月排垢洗蒸汽发生器、校压力变送器与湿球。
售后服务
压力容器主体保1年，加热与真空泵保3年，含当地特检院备案指导与IQ/OQ文档模板。发货含上门就位、抽真空自校、首年远程标定。48h响应，原厂备爆破片与密封条。送MCU/Flash HAST上机视频（含A110无偏与A118带偏接线法），可选年保校传感器与蒸汽发生器除垢。
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