半导体 HAST 老化箱
用途
本设备面向半导体集成电路、晶圆后道封装、功率器件、MEMS与车载SoC，在高温高湿高压（HAST）复合应力下加速激发非气密封装的湿气相关失效：塑封料水解、芯片钝化层沿面漏电、引线框架腐蚀、键合点脱落、封装爆米花效应及PCB导电阳极丝（CAF）。支持带偏压B-HAST与无偏压UHAST两种模式，替代传统85℃/85%RH THB长烤，把数月验证压到96h（130℃）或264h（110℃）。覆盖封测厂出货可靠性、Fabless设计公司器件认证、车规AEC-Q100与军工GJB双线摸底三类场景。
使用说明
触屏或PLC编程，典型跑JESD22-A110条件A（130℃/85%RH/230kPa）或条件B（110℃/85%RH/122kPa），升压与升温联动、泄压分段缓降。样品插于多层绝缘支架，经穿墙端子接外置电源与漏电流仪，禁裸放贴壁；介质仅用去离子水（电阻≥0.5MΩ·cm）。运行中有压自动锁门，停机须泄压至表压0且腔温＜50℃再开盖，防蒸汽喷射。可定时存温/湿/压/偏压电流曲线。
安装调试方法
落位平整承重地面，周留≥600mm，环境5~35℃、湿度≤85%RH；供380V三相五线独立空开，按容积预留6~15kW。开箱清点圆腔主机、加湿桶、真空补压阀、试样架→就位调水平→接纯水与排凝管→通电空载→依JJF 1101校130℃/85%RH/230kPa三点温湿压→带塑封IC跑条件A 96h看漏电流漂移→出调试单。定期洗蒸汽发生器、校压力变送器、查门封硅胶与联锁开关。
满足标准
半导体可靠性：JESD22-A110（HAST）、JESD22-A118（UHAST）、JESD22-A101（THB）、JESD22-A102（PCT）、IEC 60749-4、AEC-Q100/Q101；电工电子环境：GB/T 2423.40（eqv IEC 60068-2-66）、IEC 60068-2-66、JIS C 60068-2-66；参考：GJB 150.9A、MIL-STD-883 Method 1004；计量校准：JJF 1101-2019。空载温度均匀度≤±2℃、湿度偏差≤±3%RH、压力稳态±0.01MPa，带载连续500h数据可追溯，满足IC封装HAST条件A/B及B-HAST偏压老化全项复现。
半导体 HAST 老化箱
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