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功率 MOSFET 冷热冲击试验箱
简要描述:

广皓天功率 MOSFET 冷热冲击试验箱,针对功率 MOSFET 半导体器件开展温度交变可靠性验证。试样由吊篮在高低温腔体快速切换,模拟器件实际工况温度骤变,考核焊层、基板、封装界面耐受能力,排查脱焊、分层、参数漂移失效,满足半导体车规测试规范,支持腔体、器件载具工装非标定制。

  • 产品型号:TSD-80F-2P
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2026-08-21
  • 访  问  量:47

详细介绍

品牌广皓天温度范围-70~150℃
温度波动度≤±0.5℃温度均匀度≤ 2℃%
湿度范围20~98%RH(可任意设定)% R.H额定电压380V
产地国产加工定制

广皓天功率 MOSFET 冷热冲击试验箱

用途

主要用于功率MOSFET、分立功率器件、半导体芯片模组的冷热冲击可靠性检测。通过高低温快速交替循环,考核器件焊层、基板、引脚及封装胶体的抗热胀冷缩疲劳能力,有效筛查界面分层、焊层开裂、电气参数漂移等潜在缺陷,适用于半导体产品研发验证、型式试验、出厂批次质量筛查。

箱体结构与材质

外箱:冷轧钢板静电喷塑,耐腐蚀抗刮擦,长期使用不易磨损变色。内箱:SUS304不锈钢,圆角设计,无尘易清洁,耐高低温交变腐蚀。保温层:高密度聚氨酯+玻璃纤维复合保温结构,有效阻隔冷热能量流失,温场稳定性优异。提篮/隔板:不锈钢镂空式结构,承重性能优异,支持非标定制。观察窗:三层中空电加热防雾玻璃,搭配LED内腔照明,试验状态清晰可视。门封:优质硅橡胶密封条,耐高低温老化,保障腔体密闭性。
整机采用两箱吊篮移动式结构,独立高温、低温分区布局,通过电动吊篮带动试样快速完成腔体切换,箱体预留多组密封引线孔,可满足功率器件带电测试需求,可搭配半导体专用测试载具使用。

技术参数

使用环境条件环境温度:5~35℃相对湿度:≤85%RH循环冷却水温:≤30℃冷却水供水压力:0.25~0.4MPa
温度性能参数高温区温度:+60℃~+200℃低温区温度:-10℃~-70℃(可选-10℃~-80℃)高温冲击温度范围:+60℃~+150℃低温冲击温度范围:-10℃~-55℃(可选-10℃~-65℃)温度分布均匀度:≤2.0℃温度恢复时间:≤5min
设备配置参数控制器:7英寸高清触摸屏,支持多组程序编辑存储数据功能:USB数据导出、远程通讯对接、曲线回放运行模式:冲击模式、恒温模式供电电源:380V/50Hz三相五线制试样载重:支持非标定制
样品限制本设备禁止易燃、爆炸、易挥发性物质、腐蚀性物质、生物试样、强电磁发射源试样的试验及储存。

备注:可根据客户实际测试需求,非标定制设备配置与试验方案。

广皓天功率 MOSFET 冷热冲击试验箱


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