冷热冲击试验箱IGBT模块脱焊老化
用途
本设备专攻功率半导体器件在剧烈温变下的封装失效：IGBT模块、SiC MOS模块、IPM、整流桥堆、驱动DBC基板，于-55℃↔150℃（或-40℃↔125℃）高低温冲击中，考核芯片焊层微裂、烧结银层疲劳、铜线键合翘曲、引脚焊料脱焊、导热硅脂老化与导通压降Vce(sat)漂移。两箱提篮式让模块随吊篮在高低温腔快速转移，温变梯度远大于普通温循，能在千次循环内加速复现实车电控数年焊层退化。覆盖IGBT厂出货前ESS、Tier1电控来料筛查、车规AQG324/QC-T 1136前移摸底三类场景。
使用说明
触屏编程设高温驻留、低温驻留、转移时间（≤10s）、循环数（可设1000次）。模块插专用DBC夹具，主端子经密封引线孔接外部恒流源/LCR测Vf与Cies；运行时禁开盖，提篮动作中样品微振属正常。每百次循环取件测Vce(sat)与热阻，对比初始值判脱焊阈值。超温、缺相、压缩机过流即声光报警并断加热。可USB存温度-电参曲线，断电续跑。
安装调试方法
就位承重地面（≥600kg/㎡），周留左80/右60/后95/前110cm，环境5~35℃、湿度≤85%RH，无强腐蚀气；380V三相五线独立空开，接地电阻<4Ω。开箱就位调平→接排水→通电空载→按GB/T 2423.22校高低温两点及转移时间→带IGBT模块跑-40℃↔125℃ 50次看Vf漂移与吊篮定位→出调试单。日常校铂电阻、清滤网、紧门封、测超温保护器动作。
满足标准
温度变化：GB/T 2423.22、IEC 60068-2-14；温度冲击：GJB 150.5A、GJB 360B方法107、MIL-STD-883K方法1010；半导体：JESD22-A104、IEC 60747-9、GB/T 29332；车规功率：AEC-Q101、AQG324、QC/T 1136-2020、SJ/T 12152-2026。空载均匀度≤±2℃、转移≤10s、波动≤±0.5℃，带载通电冲击数据可追溯，满足IGBT模块脱焊老化与焊层可靠性复现。
冷热冲击试验箱IGBT模块脱焊老化
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