冷热冲击试验箱MOS管参数漂移
用途
本设备面向功率半导体：Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT、超结MOS、车规功率管及电源模块内分立器件，在-55℃↔150℃（可扩-65~200℃）快速温度冲击下，考核芯片结到壳热阻变化、封装胶体与引线框脱层、焊层疲劳，以及冲击前后RDS(on)上升、VGS(th)偏移、IDSS/IGSS漏电流跳变、BVDSS下降等电参漂移。两箱式用吊篮转移、三箱式用风门切换，转换时间≤10s（军工级≤3s），比恒温箱更贴近电源启停、寒区冷启、机舱骤温的真实应力。覆盖MOS原厂出货筛选、电源适配器厂来料验证、车规AEC-Q101与军工GJB360B摸底三类场景。
使用说明
触屏编程：设高温暴露、低温暴露、驻留时间、循环数（如30/50/100次）。MOS管用绝缘夹具装于样品篮，引脚接穿墙端子引至外置晶体管参数仪，冲击中可抽测静态参数；禁样件贴壁与叠放。两箱转移样件须按标准在3分钟内完成；三箱式风门切换≤15s。运行中不可频开大门，每50次循环后回常温取件测一次全参，防凝露与静电损栅。可存温度曲线与报警记录。
安装调试方法
就位通风平整地面，周留≥60cm，环境5~35℃、湿度≤85%RH；380V三相五线独立空开+接地。开箱清点→调平→接冷却水管（水冷机型）→通电空载→按GB/T 5170.2与JJF(闽)1121校高温区/低温区/转换时间（测9点温度偏差≤±2℃、转换时间达标）→带标准MOS样跑10次冲击核对RDS(on)基线→出调试单。维护含清冷凝器、校铂电阻、紧门封、查气缸/风门密封。
满足标准
试验方法：GB/T 2423.22-2024（eqv IEC 60068-2-14）、GJB 150.5A、GJB 360B-2009；设备检验：GB/T 10592-2008、GB/T 5170.2-2018、JJF(闽)1121-2021；半导体专项：AEC-Q101、MIL-STD-750、MIL-STD-883H、IEC 62660（电池关联）；汽车电子：ISO 16750-4、LV 124。空载温度偏差≤±2℃、转换时间≤10s（可订≤3s），带载通电测参数据可追溯，满足MOS管在冷热冲击下RDS(on)/VGS(th)/漏电流漂移与封装可靠性的复现。
冷热冲击试验箱MOS管参数漂移
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